Le 31 décembre 2024, selon l'Association chinoise de l'industrie des matériaux électroniques, Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., une filiale de China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., a récemment développé avec succès un substrat monocristallin en carbure de silicium semi-isolant de haute pureté de 12 pouces (300 mm) et a développé avec succès un substrat monocristallin en carbure de silicium de type N de 12 pouces en même temps.

En termes de renforcement des capacités, le projet Shuoke Crystal Silicon Carbide Phase II a été réceptionné en octobre 2024, marquant le début officiel de la production du projet. L'achèvement du projet Phase II devrait apporter à Shuoke Crystal 200 000 substrats en carbure de silicium de 6 à 8 pouces supplémentaires par an, dont 200 000 substrats monocristallins en carbure de silicium de type N par an et 25 000 substrats de haute pureté par an.

En termes de progrès de 8 pouces, Shuoke Crystal a développé des cristaux de carbure de silicium de 8 pouces en août 2021, puis en janvier 2022, Shuoke Crystal a réalisé une production à petite échelle de plaquettes de polissage en carbure de silicium de type N de 8 pouces. L'augmentation de la taille des plaquettes signifie que davantage de puces peuvent être fabriquées sur chaque plaquette, améliorant ainsi l'efficacité de la production. Cela réduit non seulement le coût de production d'une seule puce, mais optimise également le coût de fabrication global. Par conséquent, les plaquettes de grande taille sont plus efficaces économiquement et apportent de plus grands avantages concurrentiels aux fabricants.

À l'heure actuelle, les plaquettes de grande taille sont devenues un objectif commun poursuivi par les principaux fabricants. En plus de Shuoke Crystal, Tianyue Advanced a lancé un produit de substrat en carbure de silicium de type N de 12 pouces le 13 novembre 2024, marquant ainsi l'entrée officielle de l'industrie du carbure de silicium dans l'ère des substrats en carbure de silicium de très grande taille. Bien que le domaine des substrats en carbure de silicium soit en train de passer de 6 pouces à 8 pouces, l'évolution future vers 12 pouces a une grande visibilité.