Formation et partage des connaissances dans l'industrie des semi-conducteurs

2026-02-14 10:19

Aujourd'hui, avec l'accélération de l'industrialisation des matériaux semi-conducteurs de troisième génération, le carbure de silicium (SiC) s'impose, grâce à ses atouts majeurs tels que sa haute densité de puissance, sa résistance aux hautes pressions et aux hautes températures, et sa faible consommation d'énergie, au-delà des applications traditionnelles à haute température, vers des secteurs émergents stratégiques comme les semi-conducteurs et les énergies nouvelles. Entreprise leader dans le domaine du carbure de silicium depuis 30 ans, Shenyang Starlight Technology Ceramics a été témoin et acteur de l'ensemble du développement de l'industrie chinoise du carbure de silicium, de ses débuts à sa croissance. Forte d'une solide expertise technique et d'innovations constantes, elle a su étendre avec succès ses applications à l'international, établissant ainsi une nouvelle référence pour la substitution des matériaux dans le secteur de la fabrication de semi-conducteurs en Chine. Les caractéristiques exceptionnelles du carbure de silicium sont le gage de la réussite de Shenyang Starlight à l'international. Avec un point de fusion pouvant atteindre 2730 °C, le carbure de silicium conserve sa stabilité structurelle même après une utilisation prolongée à des températures inférieures à 1600 °C. Son coefficient de dilatation thermique est de seulement 4,0 × 10⁻⁶/K, et sa conductivité thermique élevée (120-150 W/(m·K)) le rend parfaitement adapté aux environnements difficiles de la fabrication de semi-conducteurs. Comparé aux matériaux traditionnels à base de silicium, le carbure de silicium présente des performances exceptionnelles en matière de résistance à la corrosion chimique et de faible émission de particules, ce qui lui confère des avantages irremplaçables pour les procédés de précision tels que la fabrication de plaquettes. Lors de la croissance cristalline de plaquettes de 12 pouces, le support de creuset en carbure de silicium produit par notre entreprise supporte la charge de manière stable à des températures élevées supérieures à 1400 °C, évitant ainsi le ramollissement et le basculement du creuset en quartz. Lors des opérations de découpe, de meulage et autres procédés, les dispositifs de fixation et les disques de meulage en céramique de carbure de silicium permettent de contrôler les erreurs d'épaisseur des plaquettes au micron près grâce à leur dureté élevée et à leurs faibles émissions polluantes, améliorant ainsi considérablement le rendement des puces. Trente années d'expertise technique ont permis à Shenyang Starlight d'opérer une transition réussie du domaine traditionnel des hautes températures vers celui des semi-conducteurs. Dès les années 1990, l'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement fondamentaux des céramiques de carbure de silicium, puis a progressivement étendu sa gamme de produits à l'ensemble du processus de fabrication des plaquettes, au gré des exigences croissantes en matière de performances des matériaux dans l'industrie des semi-conducteurs. Aujourd'hui, les produits en carbure de silicium de l'entreprise couvrent des éléments clés tels que les composants de champ thermique pour la croissance cristalline, les anneaux de guidage pour la découpe et les supports de polissage, remplaçant ainsi les métaux traditionnels et les matériaux céramiques ordinaires dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute tension et haute puissance. Ils permettent également de résoudre les problèmes majeurs de l'industrie, tels que la corrosion et la faible stabilité dimensionnelle des matériaux traditionnels.Notamment dans la production de dispositifs haut de gamme tels que les IGBT SiC, les matériaux de support de substrat en carbure de silicium fournis par l'entreprise constituent une garantie essentielle pour la localisation en Chine des dispositifs haute tension supérieurs à 18 kV.

Le talent est le moteur essentiel de l'innovation technologique. Shenyang Starlight veille constamment à ce que le développement des compétences de ses employés soit en phase avec les dernières tendances du secteur. Face à l'évolution technologique rapide dans le domaine des semi-conducteurs, l'entreprise a mis en place un système de formation continue. Elle invite des experts du secteur à animer des conférences spécialisées sur des sujets tels que les applications des matériaux semi-conducteurs de troisième génération et les technologies de traitement des plaquettes de 8 et 12 pouces, et constitue des équipes techniques dédiées à l'étude des dernières avancées en matière de contacts ohmiques basse température, de procédés de gravure de tranchées, etc. Grâce à des échanges techniques avec des instituts de recherche et à sa participation à des sommets sectoriels, les employés suivent en permanence l'évolution de la demande dans des domaines d'application tels que les réseaux intelligents et les véhicules à énergies nouvelles, garantissant ainsi une parfaite adéquation du développement produit aux besoins du marché. Ce modèle à double volet, alliant recherche et développement technologique et développement des talents, permet à l'entreprise de conserver un avantage concurrentiel pour relever les défis liés à la production à grande échelle de dispositifs en carbure de silicium. Positionnée à l'avant-garde de l'application à grande échelle de l'industrie du carbure de silicium, Shenyang Starlight continuera de s'appuyer sur trente années d'accumulation technologique, en se concentrant sur l'innovation des matériaux et l'optimisation des processus dans le domaine des semi-conducteurs, en suivant les tendances de l'industrie telles que la commercialisation de substrats en carbure de silicium de 12 pouces et les applications de dispositifs à ultra-haute tension, et en soutenant le développement autonome et contrôlable de l'industrie chinoise des semi-conducteurs avec des produits de qualité supérieure, tout en écrivant un nouveau chapitre sur le marché en pleine expansion des matériaux semi-conducteurs de troisième génération.

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